| 技术规格 | |
|---|---|
| 测量功能： | TSV蚀刻深度，凸点高度，临界尺寸和膜厚度 |
| 样品尺寸： | 200或300mm |
| CD精度（1σ）： | <0.2％ |
| 蚀刻深度精度（1σ）： | <0.005％ |
| 薄膜厚度范围： | 10nm-350μm |
| 薄膜厚度精度（1σ）： | <0.005％ |
| 量测产能： | > 60 WPH |
FilmTek™2000M TSV先进的半导体封装测量系统为通过硅通孔（TSV），铜柱，凸块，重新分布层（RDL）和其他器件的高通量测量抗蚀剂厚度提供了无与伦比的速度，精度和精度组合。包装过程。 蚀刻深度和深度均匀性对于确保TSV制造过程中的高产量至关重要。FilmTek™2000M TSV可轻松确定直径大于1μm的通孔结构的蚀刻深度，最大蚀刻深度为500μm。其他功能包括测量微凸起，沟槽以及各种其他结构和应用的高度或深度，关键尺寸和膜厚度
| 技术规格 | |
|---|---|
| 测量功能： | TSV蚀刻深度，凸点高度，临界尺寸和膜厚度 |
| 样品尺寸： | 200或300mm |
| CD精度（1σ）： | <0.2％ |
| 蚀刻深度精度（1σ）： | <0.005％ |
| 薄膜厚度范围： | 10nm-350μm |
| 薄膜厚度精度（1σ）： | <0.005％ |
| 量测产能： | > 60 WPH |
