小型变温变磁场霍尔效应测试系统,配备变温和变磁场以及手动探针模块,变温范围达到-196度到+600度,变温平台22mm直径,配备观察窗可观测样品情况并可以额外配备外置光学照射.电磁场范围0.4T/1.5T可调(与距离有关),可以受系统软件控制进行变温变磁场联合测试.配备专用手动探针模块,包含小型积分球和两个可调探针座,自带小型光谱仪模块,可以选择搭配源表和软件(需另外配置),对被测样品进行电学和光学性能检测..
可以选择的两款LN2变温系统
1. 英国Linkam 系统,设计精巧,整个系统采用compact design,做工精致. 温度范围-196°到室温,200°,400°和600°不等
2. 美国Instec变温系统
系统功能 测量半导体的电阻率、载流子浓度、迁移率以及它们的变温曲线、霍尔系数、磁致电阻等
系统配置 霍尔效应测试主机，变温平台以及温控器和液氮罐，永磁体以及切换控制器
被测样品尺寸范围 标准10mm*10mm
变温样品台尺寸 最大53.5mm*43mm
变温范围 -196°C 到 600°C
温度稳定度 0.01°C
最小变温速率 0.01°C/分钟
最大变温速率 50°C/分钟
可测试的半导体材料 Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等半导体合金薄膜(P型和N型)
磁场强度 0.4T/1.5T距离有关,典型值,永磁体,手动磁体极性变换
磁场稳定性 ±5%
磁头直径 40mm,有效作用区域,10mm
磁极间隙 5-30mm
霍尔电压范围 10uV-10V
霍尔电压解析度 1uV,典型值500nV
输入阻抗 1e13 ohm
电流范围 1nA-10mA
最大电流解析度 25pA
电阻测试范围 1m ohm-100M ohm(典型值)
电阻率范围(1um厚度) 10-5 到 107 ohm-cm(典型值)
载流子浓度 105 到 1020 cm-3
