400S型允许将HBM或MM ESD应力切换到各种形状DUT，然后通过非常少的编程自动检测损坏或退化。甚至设计师都可以随时测试新设计的ESD性能。
从晶圆到封装的ESD性能测试
通过定期晶圆测试进行过程监控
允许芯片位置和ESD性能之间的相关性测试
多次返回允许ESD电流路径验证
实现新设备的快速ESD性能测试
减少设备开发时间
1.来源测试单元/伤害标准
极性：正，负
强制电压
范围：0至30V
数字：3
最小阶段：10mV
表格：4个表格（Vf-A至Vf-D）
当前测量
范围：0到200mA
数位：3
分辨率：10nA（*）
平均值：1，2，4，8，16，32次
启动范围：1,10,100,1000μA
限制器：2，20，200mA
采样点：1到91个采样
测量速度：快/慢
伤害检测点：1至10点
损坏标准：初始电流*（1至100）％+（100nA至1mA）
2. ESD脉冲
极性：正和负
时间：大约1秒
重复次数：1至100次
消除电荷：支持
Zap电压
HBM：0至400V / 5V步进
400至4000V / 50V步进
MM：0至400V / 5V步进
400至4000V / 50V步进
准确度：设定值的±1％±5V
波形：MIL，JEDEC，JEITA等
3.测试程序
半自动测试
自动测试
V / I曲线测量
ESD zapping
