FilmTek TM CD光学关键尺寸系统是SCI针对1x nm设计节点及更高级别的全自动化,高通量CD测量和高级薄膜分析的领先解决方案。该系统可同时为已知和完全未知的结构提供实时多层堆栈特性和CD测量。
FilmTek TM CD采用专利的多模式测量技术来满足与开发和生产中最复杂的半导体设计功能相关的挑战性要求。该技术能够测量极小的线宽,在10nm以下的范围内进行高精度测量。
依赖传统椭偏仪或反射测量技术的现有测量工具在实时准确解析CD测量的能力方面受到限制,在设备研发过程中需要繁琐的库生成。FilmTek TM CD通过获得专利的多模式测量技术克服了这一限制,即使对于完全未知的结构也能提供准确的单一解决方案。
FilmTek TM CD包含专有衍射软件,可实现快速,实时的优化。实时优化允许用户使用最少的设置时间和配方开发轻松测量未知结构,同时避免与库生成相关的延迟和复杂性。
技术规格 | |
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薄膜厚度范围: | 0到150μm |
薄膜厚度准确度: | NIST可追踪标准氧化物100Å到1μm的±1.0Å |
光谱范围: | 190nm至1000nm(标准为220nm至1000nm) |
测量点大小: | 50微米 |
光谱分辨率: | 为0.3nm |
光源: | 受控氘卤素灯(寿命2,000小时) |
检测器类型: | 2048像素索尼线性CCD阵列 |
电脑: | 带有Windows™7操作系统的多核处理器 |
测量时间: | 〜2秒(例如氧化膜) |
性能规格 | |||
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电影(S) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ) |
氧化物/硅 | 0-1000Å | Ť | 0.03Å |
1000-500,000? | Ť | 0.005% | |
1000Å | t,n | 0.2 / 0.0001 | |
15,000Å | t,n | 0.5 / 0.0001 | |
150,000Å | t,n | 1.5埃/0.00001 | |
光刻胶/硅 | 2 00-10,000Å | Ť | 0.02% |
5 00-10,000Å | t,n | 0.05%/ 0.0002 | |
氮化物/硅 | 2 00-10,000Å | Ť | 0.02% |
5 00-10,000Å | t,n | 0.05%/ 0.0005 | |
多晶硅/氧化物/硅 | 2 00-10,000Å | t Poly,t Oxide | 0.2埃/ 0.1埃 |
5 00-10,000Å | t Poly,t Oxide | 0.2 / 0.0005 |