UDT仪器公司也是GAM公司旗下的，为广泛的辐射测试应用生产精密的辐射传感器。
UDTi辐射传感器非常适合于oem、增值分销商和任何对精确测量光强度和亮度感兴趣的公司。
当与光学测量仪结合时，这些传感器被用来测量辐射通量、辐照度、辐射强度和亮度。
221：硅传感器头
222：紫外传感器头
247：平面响应传感器头
260：硅传感器头-微型
221是UDTi的基本硅传感器。它可适用于标准系列附件。
标准校准(s):瓦特
传感器活动区（cm2）：1
动态范围：5.0E-11-2.4E-03 W
刻度范围：350-1100纳米级10 nm制程
典型反应：5.1E-01/w@980 nm
特点:高线性度;低噪声
峰值波长(nm):*
兼容组件：所有标准系列附件。(过滤器;扩散器;积分球;逆电流器;等等)。
222是标准的系列硅紫外线传感器，在UV区域（200-400纳米）校准。
标准校准(s):瓦特
传感器活动区（cm2）：1
校准范围：在10 nm级台阶上200-400纳米
动态范围：100E-12-7.2E-03瓦特
典型反应：1.65e-01 a/w@400纳米
特点:高线性度;低噪声
247是UDTi的标准系列平面响应辐射传感器。它可适用于标准系列附件。
标准校准(s):瓦特
传感器活动区（cm2）：1
动态范围：1.3e-10-6.4E-03 W
刻度范围：350-1100纳米级10 nm制程
典型反应：1.9e-01 a/w@630 nm
特点:精确放射过滤器
光谱平坦度：5%-7%超过光谱范围：450-950纳米
兼容组件：标准系列附件（扩散器、集成球体、间距器等）。
260是UDTi的微型系列硅传感器。它可适用于微型系列集成球体和其他附件。
标准校准(s):瓦特
传感器活动区（cm2）：0.34
动态范围：5.0E-11-1.5E-03 W
刻度范围：350-1100纳米级10 nm制程
典型反应：5.1E-01/w@980 nm
特点:高线性度;低噪音。小包装的设计。
峰值波长(nm):*
兼容组件：所有小型系列配件。(过滤器;扩散器;积分球;逆电流器;等等)。
