RT66C对于研究者来说，是追求低成本的完美选择。性能上同样可以有1KHz的最高测试频率，以及最大±200V的内置电压。
| 仪器参数 | R 66C |
| 电压范围（内置电压） | ±200V |
| 电压范围（外部高压） | 10 k V |
| ADC位数 | 14 |
| 最小电荷解析度 | 122fC |
| 最小面积解析度（假设1个ADC位=1μC/ cm 2 ） | 12.2μ2 |
| 最大电荷解析度 | 4.8μC |
| 最大面积解析度（假设饱和极化=100μC/ cm 2 ） | 4.8mm2 |
| 最大电荷分辨率（外部高压） | 480mC |
| 最大面积分辨率（假设饱和极化=100μC/ cm 2 ）（外部高压） | 4.8cm 2 |
| 最大电滞回线测试频率 | 1KHz |
| 最小电滞回线测试频率 | 1/8th Hz |
| 最小脉冲宽度 | 500μs |
| 最小脉冲上升时间（5V） | 500μs |
| 最大脉冲宽度 | 100ms |
| 脉冲之间的最大延迟 | 40ks |
| 内部时钟 | 50μs |
| 最小泄漏电流（假设最大电流积分时间= 1秒） | 10pA |
| 最大小信号电容测试频率 | 2KHz |
| 最小小信号电容测试频率 | 10Hz |
| 输出上升时间控制 | 2 Settings |
| 输入电容 | 1pF |
| 静电输入 | Yes |
