自动,非接触式测量薄膜,图形化和裸晶圆-150mm和200mm直径。
MicroSense UltraMap UMA-C200-STR测量系统使用具有纳米级厚度分辨率的非接触式电容传感器,提供硅晶圆的全晶圆,高速几何测量。在每个晶圆上测量超过120,000个数据以生成高分辨率晶圆图。
该系统根据SEMI标准测量晶圆的厚度,平整度,弯曲和翘曲度。 MicroSense UltraMap StressMap软件根据高分辨率晶圆预沉积形状数据提供精确的晶圆应力测量。
在每个晶圆测量前后,系统都会自动进行校准以获得最佳重复性。晶圆自动装载到系统中,然后在测量过程中通过精密直接驱动空气轴承X-Y台自动定位。
UltraMap测量软件 - 一个功能强大的多功能晶圆数据分析工具,用于精确的过程控制
MicroSense UltraMap软件提供全面的SEMI标准晶圆厚度/平坦度/形状测量,包括局部和全局平坦度以及晶圆应力。提供2D和3D晶圆图。 MicroSense Stress Map软件提供了基于全晶圆映射的全面晶圆应力度量。
全晶圆局部应力映射用于工艺优化
对于工艺工具的监测,优化和匹配以实现产量最大化,需要对关键薄膜层进行应力测量。
应力不均匀可能会影响器件性能。
应力不均匀可能导致设备由于剥落/开裂而失效。
由于晶圆弯曲过度,高应力会导致光刻技术出现卡盘问题(散焦)。
随着制造商从150mm硅晶片转型而来,200mm晶圆的应力测量有助于减少晶圆边缘禁区以增加产量,这对于解决近边晶粒的良率问题是一种有用的工具。
MicroSense UltraMap UMA-C200-STR为每个晶圆测量提供全面的数据:
晶圆厚度
平均晶圆bow和warp,平均晶圆曲率半径
平均晶圆膜压力
最小值和最大值的2D局部应力图
最小值和最大值的3D局部应力图
特定方向的局部线应力剖面,包括最小值和最大值。
所有的数据和图像均可导出
测量参数 | 精度1 | 1西格玛的重复性2 | 显示分辨率 |
厚度:中间,最小,最大,平均 | ± 0.10 μm | 0.05 μm | 10 nm |
全球平坦度 | ± 0.05 μm | 0.05 μm | 10 nm |
TTV | |||
TIR | |||
FPD | |||
局部平坦度3 | ± 0.05 μm | 0.05 μm | 10 nm |
局部厚度的变化(LTV) | |||
局部总指示读数(LTIR) | |||
局部焦平面的偏差(LFPD) | |||
Bow和Warp | 0.25 μm + 读数的0.5% | 10 nm | |
Bow | |||
Warp | |||
Sori |
1精度是对已知的标准值。多重C200计量系统将与之精度相匹配的规格。
2基于10次传递,晶片负荷和卸载进行1西格玛规格的重复性实验。
3 LTV = SBIR, LTIR = SFQR, LFPD = SFQD
测量产能(Wph) - 全晶圆扫描
150mm / 65 200MM / 50
数据分析
测量参数:厚度,TTV,TIR,LTV,弯曲度,翘曲度
晶圆图:轮廓,3D表面, LTV,晶圆应力
晶圆规格 | 系统配置 |
直径:150mm,200mm 直径公差:±0.5mm 厚度范围:300至1400um 动态范围: 厚度:±150um 翘曲/弯曲:±250um 表面:刚线切完的硅片,抛光片,晶圆 基准点:平边,Notch | 晶圆传送:机械手臂 测量定位:精密空气轴承 预对准器:包括在内 OCR阅读器:可选 SECS / GEM:可选 卡夹:标准2个 校准:自动化的可靠性 (MTBF):10,000 |