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日本Napson公司全新开发,采用无接触方法,测量半绝缘半导体晶圆，例如，SiC、GaN 和 GaAs 晶圆等晶圆的电阻率，通过“电荷静态消除测量”进行精确测量。该技术来自于山形大学,可测试2-8inch晶圆,也可扩展到12inch.测量范围108-1012 ohm-cm,测试探头直径约20mm.
